沈克强,男,硕士生导师
作者:沈克强, 发布日期:2015-09-14

姓名:沈克强  性别: 

研究方向:                

1.高压功率N沟道 和P沟道VDMOS                

2.  1200V NPT-IGBT                 

3. 低压功率Trench MOSTMBS                

4. 抗辐射VDMOS器件

项目及成果:                

独立或牵头承担的主要科研项目:                

1.功率VDMOS管集成设计/工艺/封装技术的研究开发  江苏省科技支撑计划项目(2009)

2. 多元胞MOS-D结构的电力电子功率器件研发及产业化  江苏省重大成果转化基金项目(2011)                

获奖成果与专利:                

1.GJL―1硅蓝宝石加速度传感器,1984.9通过电子部技术鉴定,并获电子部科技成果二等奖                

2.2013年江苏省科学技术三等奖:专用集成电路驱动的高可靠、长寿命节能灯研发及产业化                

3.实用新型专利:金属氧化物场效应二极管及MOS二极管,专利号:ZL201020022576.5       

对考研学生的基本要求:具有比较好的半导体物理、电子器件、半导体集成电路和半导体工艺基础知识。 

承担课程及本学年时间安排:                

本科课程:数字集成电路;模拟集成电路                

研究生课程:功率半导体器件;固体传感器与系统;VLSI物理 


近五年来培养的硕士生:

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